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更新时间:2026-06-29
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设备本体金属析出污染
普通清洗设备蒸汽发生器、喷嘴多采用常规不锈钢材质,高温纯水、蒸汽长期冲刷下,金属离子会持续溶出,随流体附着晶圆表面,形成难以去除的金属微粒。
化学药剂附带金属杂质
传统湿法清洗依靠强酸、强碱、氧化剂剥离残渣,化学试剂本身含有微量金属离子,药剂循环使用过程中杂质不断累积,持续污染晶圆。
耗材损耗带来二次异物
毛刷、喷淋滤芯、超声振板等消耗品长期磨损,会产生金属碎屑,同时定期更换耗材抬高产线运维成本。
复杂残渣清洗不彻的底的
蚀刻后沟槽内的硬质残渣、表面亚微米颗粒难以单一水流剥离,残留杂质后续衍生金属污染缺陷。
介质混合阶段:高纯发生器产出洁净蒸汽,与超纯水在线充分混合,形成气液二流体,大幅提升流体冲击动能;
超音速喷射阶段:专用超音速喷嘴将混合流体高速喷射至晶圆表面;
微空化剥离阶段:流体撞击工件瞬间产生大量微型空泡,空泡极速破裂释放冲击波,温和剥离晶圆蚀刻残渣、表面亚微米颗粒、异质杂质;
纯物理清洗方式不会腐蚀晶圆薄膜、氧化层,同时全程介质洁净,清洗后无金属残留附着。
蚀刻沟槽残渣清洗
清洗前:晶圆刻蚀沟槽内残留厚重工艺残渣,残渣缝隙易裹挟金属微粒;
清洗后:沟槽洁净无残渣,表面无新增金属杂质,微观形貌完整无损伤。
晶圆表面微颗粒、异质杂质清洗
清洗前:晶圆分布大量肉眼不可见亚微米异物,极易引发金属污染缺陷;
清洗后:表面异物全清除,无金属离子附着,满足半导体高洁净标准。

ASTE:半导体专用清洗设备,适配 8/12 寸晶圆批量清洗;
BEUGA:LED 芯片清洗设备,用于金膜剥离、电极洁净制程;
VALIUS:太阳能电池 / 玻璃基板清洗设备,规避基板金属污染。

蒸汽发生量:2~100kg/h,可根据产线产能自由选型;
适配介质 / 供电:DIW 超纯水、N₂、CDA;支持 100VAC/200VAC 供电;
蒸汽压力可调区间:0.05~0.3MPa,针对薄晶圆、厚基板灵活调节冲击力;
联动能力:支持与清洗主机通讯对接,无缝接入自动化量产产线。
良率提升:隔绝设备金属析出、药剂杂质双重污染源,减少晶圆金属缺陷,提升芯片良率;
降本增效:零消耗品设计,削减药剂、耗材采购与更换人工成本;
绿色生产:仅使用纯水,化学品使用量大幅降低,废液处理压力小,减轻环境负荷;
高通用性:标准化单元模块化集成,半导体、LED、光伏多产线均可落地改造;
长期稳定:惰性涂层耐水汽腐蚀,长期量产工况洁净性能无衰减。
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