Santec TMS-2000 在碳化硅（SiC）与铌酸锂（LiNbO3）晶圆厚度检测中的应用

更新时间：2026-04-11

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在功率半导体及高频电子通讯设备制造中，碳化硅（SiC）和铌酸锂（LiNbO3）等材料因其独特的物理特性而被广泛应用。然而，这些材料通常具有双折射效应或表面低反射率的特点，导致传统的非接触式光学测量方法在信噪比和精度上面临挑战。

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Santec TMS-2000 晶圆厚度测量系统基于光学相干断层扫描（OCT）技术开发。针对上述材料特性，该系统采用了特定的偏振效应补偿技术。

TMS-2000 对以下特殊材料具备显著的测量优势：

除了材料适应性外，TMS-2000 采用紧凑型设计，具备高环境稳定性（专的利的申请中）。

Santec TMS-2000 通过引入偏振补偿光学设计，解决了传统 OCT 技术在碳化硅、铌酸锂等特殊材料上测量困难的问题，为宽禁带半导体及光电器件的制造提供了可靠的几何参数检测手段。